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晶体管
NVD5867NLT4G参考图片

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NVD5867NLT4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET NFET 60V 18A 43MOHM
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库存：30,468(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8194
38.194
100
¥2.4634
246.34
1,000
¥1.9775
1977.5
2,500
¥1.6724
4181
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
22 A
Rds On-漏源导通电阻
39 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
43 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
NVD5867NL
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.2 ns
典型接通延迟时间
12.6 ns
零件号别名
SVD5867NLT4G
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PRMH9Z
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PRMH9/SOT1268 DFN1412-6
5,000:¥0.35369
10,000:¥0.30736
25,000:¥0.28476
50,000:¥0.26894
100,000:¥0.23052
参考库存:50636
STGWA30H65DFB
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a TO-247 long leads package
600:¥16.3624
1,200:¥13.8312
3,000:¥13.1419
5,400:¥12.5995
参考库存:50641
MRF8S9232NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 60W OM780-2
250:¥738.5115
参考库存:50646
AFT18S230SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF 1.8GHZ 230W NI780S-6
250:¥714.838
参考库存:50651
MMBF170Q-13-F
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
10,000:¥0.3842
20,000:¥0.3616
参考库存:50656

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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