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晶体管
STGW25M120DF3参考图片

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STGW25M120DF3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
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库存:6,683(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥65.7773
65.7773
10
¥59.4719
594.719
25
¥56.7034
1417.585
100
¥49.1776
4917.76
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
326 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW25M120DF3
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
1:¥25.5154
10:¥21.7412
100:¥18.8258
250:¥17.8992
参考库存:9447
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 30MA
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
8,000:¥0.44522
24,000:查看
参考库存:37824
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 100V
1:¥6.4523
10:¥5.3336
100:¥3.4465
700:¥2.7459
参考库存:14041
晶体管
MOSFET 55V, 86A, 12mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET
1:¥18.9049
10:¥16.0573
100:¥12.8368
500:¥11.2209
参考库存:7338
晶体管
MOSFET N-Ch 330V 18A MOS STripFET II D2PAK
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.4526
1,000:¥10.2943
参考库存:8675
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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