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晶体管
HGTG30N60A4参考图片

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HGTG30N60A4

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库存:8,812(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.1042
50.1042
10
¥45.3356
453.356
25
¥43.1886
1079.715
100
¥37.4934
3749.34
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
463 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG30N60A4
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
75 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG30N60A4_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥33.1994
10:¥28.2048
100:¥24.4306
250:¥23.2102
2,000:¥16.6788
4,000:查看
参考库存:12875
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.2262
10:¥3.503
100:¥2.1357
1,000:¥1.6498
3,000:¥1.4125
参考库存:9927
晶体管
MOSFET Dual N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3393
500:¥5.4579
1,000:¥4.3053
3,000:¥4.3053
参考库存:46349
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥4.068
10:¥3.1075
100:¥2.3165
500:¥1.8984
3,000:¥1.3334
6,000:查看
参考库存:32246
晶体管
MOSFET NMOS TOLL 80V 1.4 MOHM
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
2,000:¥15.368
4,000:查看
参考库存:12823
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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