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晶体管
TK31V60W,LVQ参考图片

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TK31V60W,LVQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A
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库存:6,899(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥64.7038
64.7038
10
¥58.2402
582.402
25
¥53.0987
1327.4675
100
¥47.8668
4786.68
2,500
¥33.6514
84128.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN8x8-5
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
30.8 A
Rds On-漏源导通电阻
78 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
86 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
240 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.85 mm
长度
8 mm
系列
TK31V60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
8 mm
商标
Toshiba
下降时间
8.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
165 ns
典型接通延迟时间
70 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
1:¥24.747
10:¥21.0519
100:¥18.2156
250:¥17.289
参考库存:6343
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥6.6105
10:¥5.5031
100:¥3.5482
1,000:¥2.8476
2,500:¥2.8476
参考库存:19210
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥46.6464
10:¥42.1829
25:¥40.1828
100:¥34.8831
参考库存:6002
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP+PNP SOT-363 10kO Input Resist
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:33179
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW
1:¥15.594
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.7632
参考库存:8181
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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