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晶体管
CSD16325Q5参考图片

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CSD16325Q5

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel NexFET Power MOSFET
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库存:21,114(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.3736
14.3736
10
¥12.2153
122.153
100
¥9.7632
976.32
500
¥8.5315
4265.75
2,500
¥6.5992
16498
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
18 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD16325Q5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
159 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
10.5 ns
单位重量
118 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 14A 9mOhm 39nC
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.232
500:¥6.3958
1,000:¥5.0511
4,000:¥5.0511
参考库存:9494
晶体管
MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
1:¥21.4361
10:¥18.2156
100:¥14.5205
500:¥12.7577
1,000:¥10.5994
参考库存:9491
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V Dual Common Base Collector NPN & PNP
1:¥3.3787
10:¥2.3504
100:¥1.08367
1,000:¥0.82942
4,000:¥0.70738
参考库存:44918
晶体管
MOSFET MOSFT 100V 51A 250mOhm 66.7nCAC
1:¥19.1309
10:¥16.2946
100:¥12.9837
500:¥11.3678
1,000:¥9.4468
参考库存:8760
晶体管
MOSFET 40V 110A 1.2mOhm N PowerTrench MOSFET
1:¥24.5888
10:¥20.905
100:¥18.1365
250:¥17.2099
800:¥12.9837
2,400:查看
参考库存:7627
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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