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晶体管
STGF10H60DF参考图片

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STGF10H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
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库存:8,285(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.8311
118.311
100
¥9.4468
944.68
500
¥8.2942
4147.1
1,000
¥6.8817
6881.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
30 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGF10H60DF
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 TO220 PNP Darlington Plasticleads
2,000:¥3.9776
4,000:¥3.6386
10,000:¥3.3109
24,000:¥3.2544
参考库存:37449
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Planar, 500V, 5A
4,000:¥3.5256
5,000:¥3.3448
10,000:¥3.277
25,000:¥3.2092
参考库存:37454
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 3.3A, 1400mOhm
15,000:¥3.6612
参考库存:37459
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6V, 10uA
3,000:¥0.41471
9,000:¥0.35369
24,000:¥0.33787
45,000:¥0.31527
99,000:¥0.26894
参考库存:37464
晶体管
MOSFET Nch 600V 2A Power MOSFET
2,500:¥1.6724
10,000:¥1.6159
25,000:¥1.5481
50,000:¥1.5255
参考库存:37469
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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