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晶体管
BFR31,235参考图片

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BFR31,235

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-Channel Single '+/- 25V 5mA
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库存:47,827(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
10,000
¥1.2543
12543
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Vgs-栅源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
5 mA
Pd-功率耗散
250 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
产品
RF JFET
类型
JFET
商标
NXP Semiconductors
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
零件号别名
933163490235
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,048.4027
参考库存:37180
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥299.7551
250:¥293.4497
参考库存:37187
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
250:¥892.8808
参考库存:37192
晶体管
IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE
6:¥4,392.5586
参考库存:37197
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 350mW 6.0A
6,000:¥1.2882
9,000:¥1.1978
24,000:¥1.1413
45,000:¥1.10627
参考库存:37202
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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