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晶体管
STGF19NC60KD参考图片

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STGF19NC60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
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库存:11,222(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9892
4994.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
Pd-功率耗散
32 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF19NC60KD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
16 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥4.3844
10:¥2.9154
100:¥1.808
500:¥1.6159
3,000:¥1.01474
9,000:查看
参考库存:18687
晶体管
MOSFET N-CH 200V HEXFET MOSFET
1:¥8.7575
10:¥7.1642
100:¥5.4918
参考库存:15029
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.8422
800:¥6.5314
参考库存:7846
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat transistor
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:88713
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6A 100V 20W PNP
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
2,500:¥1.9775
参考库存:61375
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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