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晶体管
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FQA62N25C

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库存：6,688(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.0984
47.0984
10
¥42.5671
425.671
25
¥40.567
1014.175
100
¥35.1882
3518.82
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
62 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
298 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA62N25C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
QFET
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
55 S
下降时间
335 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
395 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
245 ns
典型接通延迟时间
75 ns
零件号别名
FQA62N25C_NL
单位重量
6.401 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIHP24N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
1,000:¥22.5887
3,000:¥21.4361
参考库存:42402
ZXMN10A08E6TC
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 100V N-Chnl UMOS
10,000:¥2.0566
参考库存:102065
DMT3020LDV-7
Diodes Inc. / Pericom
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 2K
1:¥3.9211
10:¥3.2883
100:¥2.0001
1,000:¥1.5481
2,000:¥1.3221
参考库存:42409
SSM3K121TU,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET Small Signal Mosfet
1:¥3.7629
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:42414
NVMFS4C310NWFT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET TRENCH 30V NCH
1:¥6.3054
10:¥5.2545
100:¥3.39
1,000:¥2.712
1,500:¥2.2939
参考库存:42419

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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