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晶体管
IGW100N60H3参考图片

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IGW100N60H3

  • Infineon Technologies
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  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
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库存:4,950(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥73.5404
73.5404
10
¥66.4666
664.666
25
¥63.3139
1582.8475
100
¥55.0197
5501.97
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
140 A
Pd-功率耗散
714 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW100N60H3FKSA1 IGW1N6H3XK SP000913772
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PMV65XP/TO-236AB/REEL 11" Q3/T
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
10,000:¥0.86106
20,000:查看
参考库存:69119
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥41.4936
10:¥34.352
100:¥28.2726
250:¥27.4364
参考库存:31348
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 130Vcbo 130Vcex 125Vcer 120Vceo 40W
1:¥122.944
10:¥121.7123
25:¥112.6497
100:¥103.508
参考库存:4691
晶体管
MOSFET 40V 4.5 MOHM T6 S08FL SIN
1:¥7.0738
10:¥5.9099
100:¥3.8081
1,000:¥3.051
1,500:¥2.5764
参考库存:9868
晶体管
MOSFET 40V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥31.0411
10:¥26.3516
100:¥22.8938
250:¥21.6734
3,000:¥15.594
6,000:查看
参考库存:17475
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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