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晶体管
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IPP110N20NA

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库存：11,354(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥56.7034
56.7034
10
¥51.2568
512.568
25
¥48.8725
1221.8125
100
¥42.4202
4242.02
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
88 A
Rds On-漏源导通电阻
9.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
87 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
41 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPP110N20NAAKSA1 IPP11N2NAXK SP000877672
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFT25,215
NXP Semiconductors
晶体管
射频(RF)双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS
1:¥4.4522
10:¥3.6838
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
3,000:¥1.4803
参考库存:19388
MMBTA13LT3G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 SS DL XSTR NPN 30V
1:¥1.5368
10:¥1.3673
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
参考库存:151600
SIA907EDJT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
1:¥4.9946
10:¥4.181
100:¥3.1301
500:¥2.2939
3,000:¥1.5707
6,000:查看
参考库存:22597
APT30GS60BRDQ2G
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Combi
1:¥62.0144
10:¥55.7881
25:¥50.8726
100:¥45.878
参考库存:4429
DTB543EETL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0453
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
3,000:¥0.61472
参考库存:22096

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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