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晶体管
ZVN3310A参考图片

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ZVN3310A

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库存:27,607(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.2263
6.2263
10
¥5.2206
52.206
100
¥3.3674
336.74
1,000
¥2.7007
2700.7
4,000
¥2.7007
10802.8
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZVN3310
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
100 mS
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6 ns
典型接通延迟时间
5 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥87.0552
10:¥78.6819
25:¥74.9981
100:¥65.1558
450:¥56.7034
900:查看
参考库存:46890
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.43844
24,000:¥0.41471
45,000:¥0.35369
参考库存:46895
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥653.2982
2:¥633.0034
5:¥632.8565
10:¥612.4148
参考库存:46900
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DVR PNP 32V 2A
1:¥4.1471
10:¥3.4239
100:¥2.0792
1,000:¥1.6159
2,000:¥1.3786
参考库存:46905
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.47686
9,000:¥0.42262
24,000:¥0.40002
45,000:¥0.34578
参考库存:46910
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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