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晶体管
ZTX605参考图片

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ZTX605

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 NPN Darlington
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库存:30,581(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.6613
56.613
100
¥4.3505
435.05
500
¥3.842
1921
1,000
¥3.0397
3039.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
10 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
最大直流电集电极电流
1 A
最大集电极截止电流
0.01 uA
Pd-功率耗散
1 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX605
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
2000
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
2000 at 50 mA at 5 V, 5000 at 500 mA at 5 V, 2000 at 1 A at 5 V, 500 at 2 A at 5 V
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
1:¥3.5369
10:¥2.0566
100:¥0.96841
1,000:¥0.7458
3,000:¥0.61472
参考库存:23718
晶体管
MOSFET DTMOSIV 600V 88mOhm 30.8A 230W 3000pF
1:¥71.4612
10:¥65.088
25:¥58.6244
100:¥48.1041
参考库存:1695
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
4,000:¥0.30736
参考库存:41402
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 10V
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:13269
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS5
1:¥129.6336
5:¥124.639
10:¥119.9495
25:¥110.1863
参考库存:1916
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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