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晶体管
SI5504BDC-T1-GE3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SI5504BDC-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI5513CDC-T1-GE3
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库存:47,485(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.4184
64.184
100
¥4.9268
492.68
500
¥4.2375
2118.75
1,000
¥3.3448
3344.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4 A, 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms, 140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.12 W, 3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SI54
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5 S, 3.5 S
下降时间
25 ns, 10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
80 ns, 60 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns, 10 ns
典型接通延迟时间
15 ns, 30 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥15.5262
10:¥13.221
100:¥10.5316
500:¥9.2208
800:¥7.6388
参考库存:24961
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 4.7K4.7K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:24966
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS HV TAPE-7
1:¥3.4578
10:¥2.9041
100:¥1.7741
1,000:¥1.3673
参考库存:11681
晶体管
MOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
1:¥5.4579
10:¥4.7686
100:¥3.6838
500:¥2.7233
2,500:¥1.921
5,000:查看
参考库存:26748
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN LOW VCE(SAT)
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.2772
500:¥6.4297
3,000:¥4.4974
9,000:查看
参考库存:24975
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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