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晶体管
BSC100N10NSF G参考图片

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BSC100N10NSF G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
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库存:26,960(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.9104
15.9104
10
¥13.5261
135.261
100
¥10.8367
1083.67
500
¥9.4468
4723.4
1,000
¥7.8422
7842.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 2 Power-Transistor
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
61 S, 31 S
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
BSC100N10NSFGATMA1 BSC1N1NSFGXT SP000379595
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vdss 12Vgss 0.45W
10,000:¥0.63732
20,000:¥0.59212
参考库存:44491
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥8.9948
10:¥7.684
100:¥5.9438
500:¥5.2432
5,000:¥3.6725
10,000:查看
参考库存:29154
晶体管
MOSFET 60V 29 MOHM T6 1.6 X1.6 U
1:¥4.3844
10:¥3.5821
100:¥2.3165
1,000:¥1.8532
3,000:¥1.5594
参考库存:44498
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.4522
10:¥3.729
100:¥2.2713
1,000:¥1.7515
2,000:¥1.5029
参考库存:14161
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SMALL SIGNAL BIAS RE
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:44505
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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