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晶体管
SBCP56T1G参考图片

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SBCP56T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR NPN 80V
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.4578
34.578
100
¥2.1018
210.18
1,000
¥1.6272
1627.2
2,000
¥1.3899
2779.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
1 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BCP56
直流电流增益 hFE 最大值
25 at 5 mA, 2 V
高度
1.57 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.5 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
25 at 5 mA, 2 V, 40 at 150 mA, 2 V, 25 at 500 mA, 2 V
Pd-功率耗散
1500 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CM4209
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SMALL SIGNAL PNP
2,000:¥24.5888
参考库存:39883
NVMFS5C450NAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6-D3F 40V NFET
5,000:¥2.7685
10,000:¥2.6781
25,000:¥2.5877
参考库存:39888
PTVA120251EA-V2-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥591.2047
参考库存:39893
2SC3326-A(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 0.3A IC 20V Gen Purp Trans
暂无价格
参考库存:39898
TSM70N750CH C5G
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 700V, 6A, 750mOhm
15,000:¥4.7121
参考库存:39903

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