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晶体管
SI7738DP-T1-GE3参考图片

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SI7738DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:16,810(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.5887
22.5887
10
¥18.6676
186.676
100
¥15.368
1536.8
250
¥14.9047
3726.175
3,000
¥14.9047
44714.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
38 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
35 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SI7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
22 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SI7738DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Infineon's 600 V, 50 A hard-switching TRENCHSTOP IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO247 advanced isolation package.
1:¥71.1561
10:¥64.3196
25:¥61.3138
100:¥53.2456
参考库存:2431
晶体管
MOSFET 100V N-Channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.6896
500:¥5.9212
参考库存:9458
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 236A
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
1,500:¥5.7065
参考库存:8810
晶体管
MOSFET SuperFET3 650V 40 mOhm
1:¥59.1668
10:¥53.4829
25:¥51.0195
100:¥44.2621
参考库存:6242
晶体管
MOSFET Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9721
500:¥6.1585
1,000:¥4.859
2,500:¥4.3166
参考库存:13809
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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