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晶体管
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ZXTN25100DGTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V HIGH GAIN
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库存:107,373(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3053
4.3053
10
¥3.5708
35.708
100
¥2.3052
230.52
1,000
¥1.8419
1841.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
180 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
175 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXTN25100
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
5300 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO220FP-3
1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
500:¥16.8257
参考库存:10093
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 79A 4MOHM
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0849
1,000:¥2.4634
1,500:¥2.0792
参考库存:47937
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode FET Vdss -30V 25Vgss
10,000:¥2.9267
参考库存:47942
晶体管
IGBT 晶体管 NFET U8FL 30V 50A 17
1:¥4.9946
10:¥4.1132
100:¥2.5086
1,000:¥1.9323
1,500:¥1.6498
参考库存:22605
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
2,000:¥2.7007
参考库存:47949
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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