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晶体管
SIHG47N65E-GE3参考图片

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SIHG47N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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数量单价合计
1
¥62.0822
62.0822
10
¥55.935
559.35
25
¥50.9404
1273.51
100
¥45.9458
4594.58
250
¥42.262
10565.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
47 A
Rds On-漏源导通电阻
72 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
182 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
417 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
103 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
87 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
156 ns
典型接通延迟时间
47 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJ11022G
ON Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 BIP T03 NPN 15A 250V
1:¥51.0195
10:¥46.104
50:¥43.957
100:¥38.194
参考库存:4944
MJ4502G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30A 100V 200W PNP
1:¥50.0251
10:¥45.1774
50:¥43.1095
100:¥37.4256
参考库存:4221
BFU520YX
NXP Semiconductors
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥5.3788
10:¥4.7008
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
参考库存:11528
TK39J60W,S1VQ
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 110nC
1:¥74.919
10:¥67.461
25:¥61.472
100:¥55.483
参考库存:4600
STD95N4LF3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 40 Volt 80 Amp
1:¥14.9838
10:¥12.7577
100:¥10.2152
500:¥8.9157
2,500:¥6.8704
5,000:查看
参考库存:15657

  • 海量现货

    50万现货SKU

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