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晶体管
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IRGP4068DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast Trnch w/Ultra-Low VF Diode
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库存：5,314(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥53.6298
53.6298
10
¥48.4883
484.883
25
¥46.1831
1154.5775
100
¥40.115
4011.5
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.14 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
96 A
Pd-功率耗散
330 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001535818
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SQ4425EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
1:¥13.6052
10:¥11.30
100:¥8.7575
500:¥7.6275
2,500:¥7.6275
参考库存:13157
STW28N65M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥15.6731
250:¥14.8256
参考库存:41604
STB35N65DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
1:¥43.1095
10:¥36.6572
100:¥31.7304
250:¥30.1258
1,000:¥22.7469
2,000:查看
参考库存:1511
2N2907AE4
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥49.4827
10:¥39.7986
100:¥36.273
250:¥32.7361
参考库存:2298
C3M0030090K
Wolfspeed / Cree
晶体管
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm
1:¥225.3672
100:¥216.7679
参考库存:7780

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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    4小时快速发货

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