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晶体管
MJD31CT4-A参考图片

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MJD31CT4-A

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VLT NPN PWR TRANS
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库存:18,021(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6896
6.6896
10
¥5.6613
56.613
100
¥4.3505
435.05
500
¥3.842
1921
1,000
¥3.0397
3039.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
3 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD31CT4-A
高度
2.4 mm (Max)
长度
6.6 mm (Max)
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
6.2 mm (Max)
商标
STMicroelectronics
Pd-功率耗散
15000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
1.800 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3
1:¥6.0681
10:¥5.0285
100:¥3.2431
1,000:¥2.599
3,000:¥2.1922
参考库存:50219
晶体管
MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6
1:¥3.9211
10:¥3.2544
100:¥1.9775
1,000:¥1.5255
3,000:¥1.5029
参考库存:50224
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
1:¥2.6894
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.44522
参考库存:50229
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
1:¥1,051.7814
5:¥1,031.1137
10:¥983.0887
25:¥962.421
参考库存:7052
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥48.8725
10:¥41.4936
100:¥35.9566
250:¥34.1147
500:¥30.6569
参考库存:50236
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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