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晶体管
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FQD6N25TM

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数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.5991
45.991
100
¥2.9719
297.19
1,000
¥2.3843
2384.3
2,500
¥2.0001
5000.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
4.4 A
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FQD6N25
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
2.3 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
65 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.5 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSC020N03LSGXT
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
5,000:¥4.5087
10,000:¥4.3392
参考库存:44970
CPC3720CTR
IXYS Integrated Circuits
晶体管
MOSFET N Ch Dep Mode FET 250V
1:¥6.6896
10:¥5.7969
25:¥5.1302
50:¥4.9607
1,000:¥2.5764
2,000:查看
参考库存:44975
NTMFS4C09NBT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
1,500:¥1.8871
参考库存:44980
ASMA601
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 50 Ohm
1:¥538.8744
10:¥494.4654
25:¥443.751
50:¥393.0366
100:¥328.491
参考库存:44985
SI7846DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥18.7467
10:¥15.5262
100:¥13.0628
500:¥12.0684
1,000:¥11.4469
3,000:¥10.8367
参考库存:19648

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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