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晶体管
SI4931DY-T1-GE3参考图片

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SI4931DY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8
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库存:38,358(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.0626
90.626
2,500
¥9.0626
22656.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
8.9 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
52 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SI4
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
26 S
下降时间
155 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
230 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
SI4931DY-GE3
单位重量
187 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Composite Transistor w/ Built n Resistor
1:¥4.3844
10:¥2.9154
100:¥1.808
500:¥1.6159
3,000:¥1.01474
9,000:查看
参考库存:18741
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A
1:¥3.616
10:¥2.7233
100:¥1.4803
1,000:¥1.10627
2,500:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:16723
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor PNP Epitaxial Silicon
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
2,000:¥0.26103
参考库存:45635
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.2261
10:¥1.4916
100:¥0.62263
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:79997
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor
1:¥2.6103
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
2,000:¥0.39211
参考库存:66209
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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