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晶体管
IPB042N10N3GATMA1参考图片

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IPB042N10N3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
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库存:11,346(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.131
21.131
10
¥17.9783
179.783
100
¥14.3736
1437.36
500
¥12.5995
6299.75
1,000
¥10.4525
10452.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
88 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
214 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
73 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
59 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
27 ns
零件号别名
G IPB042N10N3 IPB42N1N3GXT SP000446880
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥21.2101
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:4465
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥14.7578
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.2208
参考库存:4687
晶体管
达林顿晶体管 4A 80V Bipolar Power PNP
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.486
1,000:¥1.9097
2,500:¥1.6385
参考库存:13549
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3
1:¥12.9837
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
1,000:¥6.4297
参考库存:14316
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 65V
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:66398
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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