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晶体管
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IRGP4640D-EPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 40A 250W 75nC
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数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥41.4145
414.145
25
¥39.4935
987.3375
100
¥34.2729
3427.29
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AD-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
65 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001546168
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTA124EM3T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥2.4634
10:¥1.695
100:¥0.69156
1,000:¥0.53788
8,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:30376
TK11A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm
1:¥16.9839
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
参考库存:30381
IPS60R1K0CEAKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.9946
10:¥4.1584
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:14661
STF12NK60Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A
1:¥17.6732
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.5316
参考库存:12113
TK12A53D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58
1:¥19.8993
10:¥16.0573
100:¥12.8368
500:¥11.30
参考库存:30390

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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