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晶体管
SI5403DC-T1-GE3参考图片

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SI5403DC-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
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数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.6444
66.444
100
¥5.0963
509.63
500
¥4.3844
2192.2
3,000
¥4.3844
13153.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ChipFET-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
28 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
6.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SI54
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SI5403DC-GE3
单位重量
85 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMG263020R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:51813
DN0150BDJ-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR SMALL SIGNAL NPN/NPN
10,000:¥0.77631
参考库存:51818
DU2840V
MACOM
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥613.4092
5:¥552.0954
参考库存:51823
DSC9A01S0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥1.4125
参考库存:51828
DMC264030R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.791
9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:51833

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