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晶体管
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BSZ0902NS

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库存：27,081(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.65
56.5
100
¥4.3392
433.92
500
¥3.8307
1915.35
5,000
¥2.6894
13447
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
3.6 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 nS
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 nS
零件号别名
BSZ0902NSATMA1 BSZ92NSXT SP000854386
单位重量
100 mg
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AFT09S220-02NR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT09S220-02N/FM2F///REEL 13 Q2 DP
250:¥822.7304
参考库存:44335
NGTD8R65F2WP
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 650V/40A CC14 FAST RECT
1,112:¥3.1075
2,500:¥2.7685
10,000:¥2.6555
25,000:¥2.5764
参考库存:17330
SI3471DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 12V 6.8A 2.0W 31mohm @ 4.5V
3,000:¥2.6894
6,000:¥2.5538
9,000:¥2.4634
24,000:¥2.3843
参考库存:44342
PBSS9110D,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
45,000:¥0.50737
99,000:¥0.48364
参考库存:44347
FF200R12KE3_B2
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A
10:¥859.0712
30:¥841.0138
100:¥798.9778
参考库存:44352

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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