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晶体管
ZXMN3A03E6TA参考图片

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ZXMN3A03E6TA

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库存:36,556(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.989
5.989
10
¥5.0059
50.059
100
¥3.2318
323.18
1,000
¥2.5764
2576.4
3,000
¥2.5764
7729.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
4.6 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.3 mm
长度
3.1 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMN3A
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.8 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
6.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
2.9 ns
单位重量
15 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥24.6679
10:¥22.0576
25:¥19.8202
50:¥18.984
参考库存:47446
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥2.0001
10:¥1.8419
100:¥1.1978
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.32996
参考库存:47451
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,866.973
5:¥3,633.9896
参考库存:47456
晶体管
JFET JFET N-Channel -40V 3.0mA 20Vds -30Vgs
705:¥9.605
1,000:¥7.91
2,500:¥7.0964
10,000:¥6.8252
参考库存:47461
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥506.8389
5:¥491.55
10:¥477.0973
25:¥447.2879
参考库存:47466
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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