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晶体管
PD20015-E参考图片

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PD20015-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family
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库存:6,053(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥180.0316
180.0316
5
¥178.1897
890.9485
10
¥166.0535
1660.535
25
¥158.5955
3964.8875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
11 dB
输出功率
15 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
2 GHz
系列
PD20015-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
15 V
单位重量
3 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥12.8368
10:¥10.6785
100:¥8.2942
500:¥7.2207
1,000:¥5.9777
3,000:¥5.9777
参考库存:16637
晶体管
JFET N-Ch Depletion JFET 25Vds 25Vdg 100mA
1:¥91.6656
10:¥75.145
100:¥62.3986
500:¥56.8616
参考库存:1364
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥25.199
10:¥21.357
100:¥18.5207
250:¥17.5941
1,000:¥13.2888
2,000:查看
参考库存:2361
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
2,500:¥0.77631
10,000:¥0.72998
参考库存:29338
晶体管
MOSFET N-CH 80V 12.9 mOhm Standard MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
1,500:¥2.825
参考库存:15635
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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