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晶体管
IPB009N03L G参考图片

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IPB009N03L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
  • 数据手册下载
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库存:7,158(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.5154
25.5154
10
¥21.6734
216.734
100
¥18.7467
1874.67
250
¥17.8314
4457.85
1,000
¥13.447
13447
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
227 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
180 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
IPB009N03LGATMA1 IPB9N3LGXT SP000394657
单位重量
1.600 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V POWERBLOCK N CH MOSFET
1:¥45.2565
10:¥40.7252
100:¥33.3463
250:¥31.3462
500:¥28.4308
参考库存:6876
晶体管
MOSFET 60V 240A TO-LL N-Chnl PowerTrench
1:¥26.5098
10:¥22.5887
100:¥19.5942
250:¥18.5998
2,000:¥13.3679
4,000:查看
参考库存:11928
晶体管
MOSFET Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥12.9046
10:¥10.6785
100:¥8.2264
500:¥7.0173
1,000:¥5.537
2,500:¥5.537
参考库存:25825
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥39.1093
10:¥33.2672
100:¥28.815
250:¥27.3573
3,000:¥19.6733
参考库存:3507
晶体管
IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
1:¥301.1337
5:¥294.4554
10:¥281.0084
25:¥269.2451
参考库存:1679
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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