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晶体管
HBDM60V600W-7参考图片

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HBDM60V600W-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mW Half H-Bridge
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库存:61,161(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.147
21.47
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.87575
875.75
3,000
¥0.75258
2257.74
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V, 65 V
集电极—基极电压 VCBO
- 60 V, 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5.5 V, 6 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
0.5 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HBDM60
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
- 600 mA, 500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
50
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET1200V14A280m OhmSiliconCarbideSiC
1:¥76.9191
10:¥69.5402
25:¥66.3084
100:¥57.5509
250:¥54.9406
参考库存:7746
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥31.1993
10:¥26.5098
100:¥22.9729
250:¥21.7412
500:¥19.5151
参考库存:5683
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:109050
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:10487
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 8A 80V TR
1:¥7.1416
10:¥5.989
100:¥3.842
1,000:¥3.0736
1,800:¥2.6103
参考库存:6454
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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