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晶体管
MMBT3904FA-7B参考图片

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MMBT3904FA-7B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V NPN SM Trans 435mW 40V Vceo
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.1244
21.244
100
¥1.1526
115.26
1,000
¥0.86784
867.84
2,500
¥0.7458
1864.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X2-DFN0806-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
0.2 A
增益带宽产品fT
300 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBT3904FA
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 10 mA, 1 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30 at 100 mA, 1 V
Pd-功率耗散
435 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
10000
子类别
Transistors
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTA124EM3T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
1:¥2.4634
10:¥1.695
100:¥0.69156
1,000:¥0.53788
8,000:¥0.3842
24,000:查看
参考库存:30376
TK11A50D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm
1:¥16.9839
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
参考库存:30381
IPS60R1K0CEAKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥4.9946
10:¥4.1584
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:14661
STF12NK60Z
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A
1:¥17.6732
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.5316
参考库存:12113
TK12A53D(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 12A 525V 45W 1350pF .58
1:¥19.8993
10:¥16.0573
100:¥12.8368
500:¥11.30
参考库存:30390

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    50万现货SKU

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