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晶体管

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FF225R12MS4

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库存:2,202(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,159.9789
1159.9789
5
¥1,137.1529
5685.7645
10
¥1,084.1333
10841.333
25
¥1,061.3864
26534.66
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
275 A
封装 / 箱体
Econo D
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
152 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF225R12MS4BOSA1 SP000091956
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -30V P-Channel Power Trench
1:¥6.3732
10:¥5.4466
100:¥4.181
500:¥3.6951
3,000:¥2.5877
9,000:查看
参考库存:119664
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerDI3333-8 T&R 2K
1:¥3.842
10:¥3.2318
100:¥1.9662
1,000:¥1.5255
2,000:¥1.2995
参考库存:3406
晶体管
MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2
1:¥5.8421
10:¥4.9042
100:¥3.164
1,000:¥2.5312
2,500:¥2.1357
参考库存:10428
晶体管
MOSFET P-Ch -250V -430mA SOT-223-3
1:¥6.2263
10:¥5.2206
100:¥3.3674
1,000:¥2.7007
参考库存:7915
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1.5A 100V PNP
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
参考库存:51017
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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