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晶体管
FGA40T65SHDF参考图片

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FGA40T65SHDF

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库存:4,220(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥32.2728
32.2728
10
¥27.4364
274.364
100
¥23.8204
2382.04
250
¥22.5887
5647.175
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.81 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA40T65SHDF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
1:¥8.3733
10:¥7.1529
100:¥5.4918
500:¥4.859
4,800:¥3.4013
9,600:查看
参考库存:24087
晶体管
MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8026
500:¥6.0116
1,000:¥4.746
2,000:¥4.746
参考库存:156129
晶体管
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥50.4884
10:¥45.6407
25:¥43.4937
100:¥37.8098
参考库存:8866
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 3.7A 45mOhm 23nC
1:¥6.6896
10:¥5.5709
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
2,500:¥2.8815
参考库存:51213
晶体管
达林顿晶体管 PNP Power Darlington
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.5088
500:¥5.7517
参考库存:13660
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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