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晶体管
FF450R07ME4_B11参考图片

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FF450R07ME4_B11

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库存:3,115(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,086.3594
1086.3594
5
¥1,065.0024
5325.012
10
¥1,015.3615
10153.615
25
¥994.0045
24850.1125
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
560 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
1450 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
6
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R07ME4B11BOSA1 SP000725482
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT-89 -1.5A 120 to 390hFE -80V
1:¥3.5369
10:¥2.6894
100:¥1.4577
1,000:¥1.09836
参考库存:11220
晶体管
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.3845
500:¥5.65
1,000:¥4.4522
2,500:¥4.4522
参考库存:44087
晶体管
MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
1:¥32.2728
10:¥25.9674
100:¥23.6622
250:¥21.357
参考库存:4824
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥37.7307
10:¥30.3518
100:¥27.6624
500:¥22.3627
1,000:¥18.8258
参考库存:39896
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
1:¥12.4526
10:¥10.6785
100:¥8.1473
500:¥7.2433
1,000:¥5.7291
3,000:¥5.7291
参考库存:208658
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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