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晶体管
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ARF463AG

  • Microsemi
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
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库存:3,480(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥254.8828
254.8828
5
¥243.4246
1217.123
10
¥235.8197
2358.197
25
¥216.6888
5417.22
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
9 A
Vds-漏源极击穿电压
500 V
增益
15 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
封装
Tube
工作频率
100 MHz
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
类型
RF Power MOSFET
商标
Microchip / Microsemi
正向跨导 - 最小值
4 mS
通道模式
Enhancement
下降时间
4 ns
Pd-功率耗散
180 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
上升时间
4.1 ns
工厂包装数量
1
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Small Sig Transistor 2.0x2.1mm Flat lead
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.69156
500:¥0.52997
3,000:¥0.32318
9,000:查看
参考库存:31480
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) H VL fast-switching
1:¥13.0628
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.7631
参考库存:8522
晶体管
IGBT 晶体管 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
1:¥21.357
10:¥18.2156
100:¥15.7522
250:¥14.9838
参考库存:4314
晶体管
达林顿晶体管 NPN Power Darlington
1:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7685
参考库存:17201
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3
1:¥30.4309
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
参考库存:3588
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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