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晶体管
IRFSL7430PBF参考图片

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IRFSL7430PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel
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库存:6,545(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.8938
22.8938
10
¥19.436
194.36
100
¥16.8257
1682.57
250
¥15.9782
3994.55
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
426 A
Rds On-漏源导通电阻
970 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
460 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
150 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
160 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
SP001557608
单位重量
2.084 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor Low Saturation
1:¥3.1527
10:¥2.4634
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:15191
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -60V 150mW
1:¥2.7685
10:¥1.7515
100:¥0.75258
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.43844
参考库存:154213
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1600V 240A
1:¥1,046.3348
5:¥1,025.814
10:¥977.9472
25:¥957.4264
参考库存:1620
晶体管
MOSFET N-Ch 240V 50mA SOT-223-3
1:¥7.1416
10:¥6.1133
100:¥4.7008
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
参考库存:3112
晶体管
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥8.6784
10:¥7.1529
100:¥5.4918
500:¥4.7234
1,000:¥3.729
参考库存:29504
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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