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晶体管
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KSB1015YTU

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5.8421
10
¥4.7912
47.912
100
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309.62
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¥2.4747
2474.7
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220F-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 7 V
集电极—射极饱和电压
- 0.5 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
9 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSB1015
直流电流增益 hFE 最大值
200
高度
9.19 mm
长度
10.16 mm
封装
Tube
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
25 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
KSB1015YTU_NL
单位重量
2.270 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMT3006LFVQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
3,000:¥2.3391
参考库存:47611
EFC2J022NUZTCG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NCH 12V 2.2 MOHM WLCSP10
5,000:¥1.6724
10,000:¥1.6046
25,000:¥1.5368
50,000:¥1.5142
参考库存:47616
MG12400D-BN2MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1200V 400A Dual
60:¥1,287.9175
参考库存:47621
DDTD122JC-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 0.22K 4.7K
3,000:¥0.33787
9,000:¥0.29154
24,000:¥0.27685
45,000:¥0.25312
参考库存:47626
IKW50N65F5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
240:¥27.12
480:¥25.7414
720:¥23.052
参考库存:47631

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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