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晶体管
PMDT290UCE,115参考图片

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PMDT290UCE,115

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 20/20V, 800/550 mA N/P-ch Trench MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.3278
23.278
100
¥1.2656
126.56
1,000
¥0.95259
952.59
4,000
¥0.82264
3290.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-666-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
800 mA
Rds On-漏源导通电阻
290 mOhms, 670 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
450 pC, 760 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
330 mW
配置
Dual
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
1.6 S
下降时间
31 ns, 72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns, 30 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
暂无价格
参考库存:47350
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP TRANS W/BLT IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:47355
晶体管
MOSFET 40V N-Ch Enhance Mode
3,000:¥2.9832
参考库存:47360
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V
250:¥1,013.2936
参考库存:47365
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
2,500:¥3.6612
5,000:¥3.4804
10,000:¥3.3448
25,000:¥3.2431
参考库存:47370
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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