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产品分类

晶体管
SI2301BDS-T1-GE3参考图片

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SI2301BDS-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V
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库存:28,550(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.5538
25.538
100
¥1.9097
190.97
500
¥1.5594
779.7
3,000
¥1.09836
3295.08
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.2 A
Rds On-漏源导通电阻
100 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
4.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
6.5 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
20 ns
零件号别名
SI2301BDS-GE3
单位重量
8 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Volt Trans 300Vcbo 300Vceo 6.0
1:¥11.3678
10:¥9.379
100:¥7.7631
500:¥5.9777
1,000:¥5.4014
参考库存:13371
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V NPN
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:1091898
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥21.8994
10:¥19.8202
100:¥15.9104
500:¥12.3735
参考库存:8915
晶体管
IGBT 晶体管 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
1:¥40.6461
10:¥34.578
100:¥29.9676
250:¥28.4308
参考库存:7202
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
1:¥3.6838
10:¥2.8589
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
2,500:¥0.99892
10,000:¥0.9379
参考库存:60644
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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