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晶体管
IRFI510GPBF参考图片

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IRFI510GPBF

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
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库存:8,099(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥13.9103
139.103
100
¥10.7576
1075.76
500
¥9.4468
4723.4
1,000
¥7.8422
7842.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
4.5 A
Rds On-漏源导通电阻
540 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
8.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
IRFI
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
1.2 S
下降时间
9.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
6.9 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET 25V 0.7mA
1:¥8.3733
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
3,000:¥3.3335
6,000:查看
参考库存:262661
晶体管
MOSFET Small Signal MOSFET
1:¥4.0002
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:232993
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥13.673
10:¥11.3678
100:¥8.7575
500:¥7.6727
1,000:¥6.3506
2,500:¥6.3506
参考库存:15125
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥31.5835
10:¥26.8149
100:¥23.2102
250:¥22.0576
500:¥19.7524
参考库存:3942
晶体管
MOSFET -30V P-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.825
参考库存:159739
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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