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晶体管
RGTH00TS65GC11参考图片

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RGTH00TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A IGBT Stop Trench
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库存:5,741(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥28.7359
28.7359
10
¥24.4306
244.306
100
¥21.131
2113.1
250
¥20.0575
5014.375
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
277 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH00TS65
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
85 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH00TS65
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
1:¥37.4256
10:¥31.8095
100:¥27.5833
250:¥26.2047
1,000:¥19.8202
2,000:查看
参考库存:5544
晶体管
MOSFET P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥12.5204
10:¥10.5994
100:¥8.5315
500:¥7.4693
2,500:¥5.763
5,000:查看
参考库存:69486
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS:
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:32658
晶体管
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS
1:¥5.3788
10:¥4.1245
100:¥2.6555
1,000:¥2.1244
3,000:¥1.7967
参考库存:72800
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Enh FET 30V 20Vgss 1.0W
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:43090
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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