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晶体管
MG12200D-BN2MM参考图片

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MG12200D-BN2MM

  • Littelfuse
  • 新批次
  • IGBT 模块 1200V 200A Dual
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库存:3,934(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥947.1321
947.1321
5
¥928.5323
4642.6615
10
¥885.2759
8852.759
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Littelfuse
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
在25 C的连续集电极电流
300 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1400 W
封装 / 箱体
Package D
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
系列
MG12200D
商标
Littelfuse
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
285 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
1:¥3,146.7562
参考库存:4720
晶体管
MOSFET 100V 60A 104W 14mohm @ 10V
1:¥24.5097
10:¥20.2835
100:¥16.6788
250:¥16.2155
500:¥14.5205
3,000:¥14.5205
参考库存:25457
晶体管
MOSFET 40V StrongIRFET 195A,1.6mOhm,216nC
1:¥19.7524
10:¥16.7466
100:¥13.447
500:¥11.752
800:¥9.6841
2,400:¥9.605
参考库存:27194
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230H
1:¥1,342.553
5:¥1,312.6532
10:¥1,285.8383
25:¥1,266.8656
150:¥1,220.9085
参考库存:6056
晶体管
JFET SS SOT23 JFET PCH 30
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.3278
1,000:¥1.7967
3,000:¥1.5368
参考库存:22118
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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