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晶体管
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STGF15H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 15A HiSpd
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库存：9,290(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.7466
16.7466
10
¥14.2154
142.154
100
¥11.3678
1136.78
500
¥9.9101
4955.05
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
30 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGF15H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STU8N80K5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected
1:¥26.2838
10:¥22.3627
100:¥19.3682
250:¥18.3625
参考库存:39075
2SK3482-AZ
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥13.0628
10:¥11.752
25:¥10.5316
100:¥9.4468
参考库存:39080
STWA63N65DM2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET
1:¥84.1398
参考库存:4475
TSC5302DCH C5G
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High voltage NPN Transistor with diode
15,000:¥1.4916
24,375:¥1.4125
48,750:¥1.3786
参考库存:39087
SI4890DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 11A 2.5W 12mohm @ 10V
2,500:¥9.831
5,000:¥9.4468
10,000:¥9.0626
参考库存:39092

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    50万现货SKU

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