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晶体管
IPW65R099C6参考图片

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IPW65R099C6

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库存:5,266(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥51.641
51.641
10
¥46.6464
466.464
25
¥44.4881
1112.2025
100
¥38.646
3864.6
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
89 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
127 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
77 ns
典型接通延迟时间
10.6 ns
零件号别名
IPW65R099C6FKSA1 IPW65R99C6XK SP000896396
单位重量
38 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥27.3573
10:¥23.2102
100:¥20.1366
250:¥19.1309
参考库存:3387
晶体管
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
1:¥10.8367
10:¥9.2208
100:¥7.1077
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
参考库存:6364
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A SOT-416
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:34386
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR
1:¥7.9891
10:¥6.5314
100:¥5.0059
500:¥4.3053
3,000:¥4.3053
参考库存:176038
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
1:¥43.6406
10:¥37.1092
100:¥32.1146
250:¥30.51
500:¥27.3573
参考库存:2615
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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