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晶体管
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FGA30S120P

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数量单价合计
1
¥31.5044
31.5044
10
¥26.7358
267.358
100
¥23.2102
2321.02
250
¥21.9785
5494.625
500
¥19.7524
9876.2
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1300 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
174 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA30S120P
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
原装正品，最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS2N2221AUB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥474.4079
100:¥467.9556
200:¥441.7509
参考库存:53738
RM04N30S2
Rectron
晶体管
MOSFET SOT-23 MOSFET
12,000:¥0.34578
24,000:¥0.33787
参考库存:53743
RM50N150DF
Rectron
晶体管
MOSFET DFN MOSFET
5,000:¥4.9607
10,000:¥4.5313
参考库存:53748
STD5N62K3
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥8.9948
250:¥7.9891
2,500:¥5.3788
5,000:查看
参考库存:53753
JAN2N3418S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥159.2848
250:¥146.1542
500:¥139.1595
参考库存:53758

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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