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晶体管
DMN62D0LFD-7参考图片

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DMN62D0LFD-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1212-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
310 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
500 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
480 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN62D0LFD
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.8 S
下降时间
8.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.1 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
2.6 ns
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
参考库存:152706
晶体管
MOSFET 500v QFET
1:¥20.5886
10:¥17.515
100:¥15.142
250:¥14.3736
参考库存:5288
晶体管
MOSFET 30V P channel MOSFET
1:¥4.5313
10:¥3.5369
100:¥2.4408
500:¥1.6724
3,000:¥1.12209
9,000:查看
参考库存:8280
晶体管
IGBT 模块 N-CH 600V 16A
1:¥140.1539
10:¥128.8652
25:¥123.5542
100:¥108.8868
参考库存:4937
晶体管
MOSFET 800V, 5.5A, Single N Channel Power MOSFET
1:¥17.289
10:¥15.594
100:¥12.5995
500:¥9.831
参考库存:24834
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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