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晶体管
IRFH7914TRPBF参考图片

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IRFH7914TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
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库存:18,016(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥4.0228
40.228
100
¥2.599
259.9
1,000
¥2.0792
2079.2
4,000
¥2.0792
8316.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.35 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
HEXFET Power MOSFET
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
77 S
下降时间
4.6 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
SP001564146
单位重量
400 mg
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
1:¥4.9155
10:¥4.0793
100:¥2.6329
1,000:¥2.1018
1,500:¥1.7741
参考库存:313507
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SANYO BIPOLAR POWER NPN C
1:¥7.2207
10:¥6.2037
100:¥4.7686
500:¥4.2149
参考库存:43196
晶体管
MOSFET Dual Ultrafast Power Diode
1:¥12.8368
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:43201
晶体管
MOSFET MOSFET_(20V,40V)_47
1:¥32.4988
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
800:¥17.2099
2,400:查看
参考库存:6864
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS7
1:¥226.1356
5:¥217.299
10:¥209.163
25:¥192.1791
参考库存:43208
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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