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晶体管
SIHF30N60E-E3参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

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SIHF30N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存:28,154(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.3357
47.3357
10
¥39.1884
391.884
100
¥32.2728
3227.28
250
¥31.2784
7819.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.8 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
37 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
E
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
1:¥5.763
10:¥4.7912
100:¥3.0849
1,000:¥2.4747
3,000:¥2.4747
参考库存:36626
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥4.9946
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
2,000:¥1.8193
参考库存:79853
晶体管
MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-220FP package
1:¥30.1258
10:¥25.5832
100:¥22.2045
250:¥21.0519
参考库存:7460
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 60A 13.5mOhm 23nC LogLvl
1:¥11.0627
10:¥9.4468
100:¥7.2885
500:¥6.4523
1,000:¥5.085
参考库存:30687
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1244
1,000:¥1.6498
2,000:¥1.4012
参考库存:127119
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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