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晶体管
IRF4104SPBF参考图片

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IRF4104SPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms 68nC
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库存:12,675(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.673
13.673
10
¥11.6051
116.051
100
¥9.2999
929.99
500
¥8.1473
4073.65
1,000
¥6.7574
6757.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
120 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
68 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
140 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Automotive MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
77 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
130 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP001551088
单位重量
4 g
商品其它信息
原装正品,最快4小时发货
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP45V 500mA
1:¥0.99892
10:¥0.92999
100:¥0.32996
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:402117
晶体管
MOSFET 600V N-Channel MOSFET
1:¥56.6356
10:¥51.1777
25:¥48.7934
100:¥42.3411
参考库存:6274
晶体管
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
1:¥7.2998
10:¥5.8647
100:¥4.4522
参考库存:18976
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
1:¥90.4452
10:¥82.2188
25:¥75.9925
50:¥71.9245
参考库存:4618
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K
1:¥1.6159
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:21450
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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